批发原装ST可控硅供应可控硅TYN412单向12A

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Symbol

Parameter

 

 

 

TYN/TXN

 

 

 

Unit

 

 

0512

112

212

412

612

812

1012

 

VDRM

Repetitive peak off-state voltage

50

100

200

400

600

800

1000

V

VRRM

Tj =

125 °C

 

 

ABSOLUTE RATINGS(limiting values)

Symbol

Parameter

Value

Unit

IT(RMS)

RMS on-state current (180° conduction angle)

TXN TYN

Tc=80°C Tc=90°C

12

A

IT(*)

Average on-state current (180° conduction angle,single phase circuit)

TXN TYN

Tc=80°C Tc=90°C

8

A

ITSM

Non repetitive surge peak on-state current ( Tj initial = 25°C)

 

tp=8.3 ms tp=10 ms

125 120

A

I2t

I2t value

 

tp=10 ms

72

A2s

dI/dt

Critical rate of rise of on-state current Gate supply : IG = 100 mA diG/dt = 1 A/ms

 

 

100

A/ms

Tstg Tj

Storage and operating junction temperature range

 

-40 to 150 -40 to 125

°C °C

Tl

Maximum lead temperature for soldering during 10 s at 4.5 mm from case

260

°C

FEATUR*

HIGH SURGE CAPABILITY

HIGH ON-STATE CURRENT

HIGH STABILITY AND RELIABILITY

TXN Serie :

INSULATED VOLTAGE = 2500V(RMS)

(UL RECOGNIZED : E81734)

D*CRIPTION

The TYN/TXN 0512 ---> TYN/TXN 1012 Family

of Silicon Controlled Rectifiers uses a high performance

gl* p*ivated technology.

This general purpose Family of Silicon Controlled

Rectifiers is designed for power supplies up to

400Hz on resistive or inductive load.

 

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品牌/商标

ST/意法

型号/规格

TYN12

控制方式

单向

*数

三*

封装材料

塑料封装

封装外形

TO-220

关断速度

普通

散热功能

带散热片

功率特性

*率

频率特性

低频

额定正向平均电流

12(A)

控制*触发电压

1.5(V)

控制*触发电流

12(mA)

正向重复峰值电压

400(V)

反向阻断峰值电压

-(V)