平板型大功率可控硅KK1000(图)

型号:KK1000 电流:1000（A）电压:1200（V）封装形式:平板型

通态特性

参数	*号	*小值	*大值	典型值	单位	条件
通态平均电流	I_T(*)		1000		A	正弦波,180^o 导通角,T_c=65^oC
通态电流方均根值	I_TRMS		1600		A
不重复浪涌电流	I_TSM		15000 12000		A A	8.3 ms, 正弦波形, 180^o 导通角,T_j = 115 ^oC 10.0 ms, 正弦波形, 180^o导通角, T_j = 115^oC
I²t值	I²t		730000		A²s	8.3 msec and 10.0 msec
擎住电流	I_L		200		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
维持电流	I_H		200		mA	V_{D =} 24 V; I = 2.5 A
峰值通态压降	V_TM		2.6	2.0	V	I_TM = 3140 A; Duty cycle ￡ 0.01%
电流上升率 (5, 6)	di/dt		800		A/ms	不重复
电流上升率(6)	di/dt		200		A/ms

供应平板型大功率可控硅KK1000(图)