场效应管STD4NK60ZT4 SOT-252

地区:广东 深圳
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深圳市深霸电子经营部

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家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳
MOSFET,GaNFET - 单
SuperM*H™
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
2 欧姆 @ 2A, 10V
600V
4A
4.5V @ 50µA
26nC @ 10V
510pF @ 25V
70W
表面贴装
TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63

深圳市深霸电子经营部
:林先生
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Business
贸易通:szshengbadz

公司主要服务包括:
为客户提供在线及报价服务;
为客户提供*的产品技术资料和参数;
提供各种电子元器件配套供销服务;

"
品牌

ST/意法

型号

STD4NK60ZT4

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-TPBM/三相桥

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

见下表详细说明(V)

夹断电压

见下表详细说明(V)

跨导

见下表详细说明(μS)

*间电容

见下表详细说明(pF)

低频噪声系数

见下表详细说明(dB)

漏*电流

见下表详细说明(mA)

耗散功率

见下表详细说明(mW)