大功率整流二*管-大功率整流二*管-品质*

品牌:国产，* 型号:多型号 应用范围:整流 结构:面接触型 材料:硅(Si) 封装形式:直插型 封装材料:金属封装 功率特性:大功率 频率特性:*频 发光颜色:橙色 LED封装:无色散射封装(W) 出光面特征:圆形 发光强度角分布:高指向性 正向工作电流:视型号定（A） *高反向电压:视型号定（V）

常用参数

　　（1）*大平均整流电流IF：指二*管长期工作时允许通过的*大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二*管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二*管的IF为1A。 　　（2）*高反向工作电压VR：指二*管两端允许施加的*大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二*管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4007的VR为1OOOV 　　（3）*大反向电流IR：它是二*管在*高反向工作电压下允许流过的反向电流，此参数反映了二*管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小，表明二*管质量越好。 　　（4）击穿电压VR：指二*管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。 　　（5）*高工作频率fm：它是二*管在正常情况下的*高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率*过fm，则二*管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二*管的fm为3kHz。 　　（6）反向恢复时间tre：指在规定的负载、正向电流及*大反向瞬态电压下的反向恢复时间。 　　（7）*偏压电容CO：指二*管两端电压为*时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二*管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二*管的IR小于1OuA，而在100°C时IR则变为小于500uA。