8N60场效应管

品牌/商标	国产，*	型号/规格	多型号/规格
种类	结型(JFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	耗尽型	用途	S/开关
封装外形	CER-DIP/陶瓷直插	材料	GE-N-FET锗N沟道
开启电压	来电垂询（V）	夹断电压	来电垂询（V）
低频跨导	来电垂询（μS）	*间电容	来电垂询（pF）
低频噪声系数	来电垂询（dB）	大漏电流	来电垂询（mA）
*大耗散功率	来电垂询（mW）

场效应管大，根据漏*-源*间所加VDS的电场，源*区域的某些电子被漏*拉去，即从漏*向源*有电流ID流动。从门*向漏*扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
　　在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有*缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏*-源*间的电场，实际上是两个过渡层接触漏*与门*下部附近，由于漂移电场拉去的*电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源*的很短部分，这更使电流不能流通。