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产品属性
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品牌/商标 | 国产,* | 型号/规格 | 多型号/规格 |
产品类型 | 整流管 | 结构 | 点接触型 |
材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 贴片型 |
封装材料 | 塑料封装 | 功率特性 | *率 |
频率特性 | 高频 | 发光颜色 | 黄绿色 |
LED封装 | 有色透明封装(C) | 出光面特征 | 矩形 |
发光强度角分布 | 高指向性 | 正向直流电流IF | 视型号/规格定(A) |
*高反向电压 | 视型号/规格定(V) |
常用参数 (1)*大平均整流电流IF:指二*管长期工作时允许通过的*大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二*管的平均电流不能大于此值,并要满足散热条件。例如1N4000系列二*管的IF为1A。 (2)*高反向工作电压VR:指二*管两端允许施加的*大反向电压。若大于此值,则反向电流(IR)剧增,二*管的单向导电性被破坏,从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V,1N4007的VR为1OOOV (3)*大反向电流IR:它是二*管在*高反向工作电压下允许流过的反向电流,此参数反映了二*管单向导电性能的好坏。因此这个电流值越小,表明二*管质量越好。 (4)击穿电压VR:指二*管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时,则指给定反向漏电流条件下的电压值。 (5)*高工作频率fm:它是二*管在正常情况下的*高工作频率。主要由PN结的结电容及扩散电容决定,若工作频率*过fm,则二*管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二*管的fm为3kHz。 (6)反向恢复时间tre:指在规定的负载、正向电流及*大反向瞬态电压下的反向恢复时间。 (7)*偏压电容CO:指二*管两端电压为*时,扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是,由于制造工艺的限制,即使同一型号的二*管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围,若测试条件改变,则相应的参数也会发生变化,例如在25°C时测得1N5200系列硅塑封整流二*管的IR小于1OuA,而在100°C时IR则变为小于500uA。