P*D TVS保护芯片

地区:陕西 宝鸡
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品牌/商标NXP型号/规格P*D5VP*D5V0 P*D5V0L6US P*D5V0L6UAS P*D5V07BAS P*D5V0L7BS P*D P*D5 P*D
种类浪涌保护用途通信
体积小型电压特性*电压
形状贴片式熔断速度FF/特快速
执行标准美标自动复位功能
*大电压P*D5VP*D5V0 P*D5V0L6US P*D5V0L6UAS P*D5V07BAS P*D5V0L7BS P*D P*D5 P*D(V) *大电流P*D5VP*D5V0 P*D5V0L6US P*D5V0L6UAS P*D5V07BAS P*D5V0L7BS P*D P*D5 P*D(A)
保持电流P*D5V0 P*D5V0L(A)

提供系统*性及稳定性的重要措施---*D保护器件

 

概述
*D脉冲、电源瞬变、浪涌等现象是损坏芯片的主要原因。NXP提供一个新系列的*D保护二*管, *适用于对**D及其他电压突变脉冲。这些器件*多可以保护18个数据通道,*大可*30kV的*脉冲. 其引脚容**为10pF,*适合保护*或高频(可达200MHz以上)数据线,由于他们的小体积及*小的漏电流,他们*适用于一些对空间及功耗要求严格的场合,如电池供电及手持设备。
PSED3V3L2UM及P*D5V0L2UM为市场中*先推出的无引脚封装的*D保护器件, *小的SOT883封装, 支持15kV的保护级别, 1.0mm x 0.6mm x 0.5mm体积使其支持更高的保护级别, 体积相比SOT23缩小了90%.

 

 

主要特性
出色的*D保护特性
*低容*
*快的响应速度(<1ns)
低钳位电压
*漏电流
*小封装
IEC 61000-4-2,level 4 认证(> 15 kV 非接触放电, > 8 kV 接触放电)
HBM MIL-Std 883, cl* 3认证(> 4 
优点
帮助下游电子元件免受过电压及反向偏压的影响
模组动作可保护过电压和反向偏压源现象
模组动作可使上游感应*降到*小
模组设计可减小散热需求,从而减少设计成本
特性
*合RoHS标准
瞬态电压抑制
工作电流*2.3安培
*、过电压动作
*、反向偏压动作
处理30瓦量级的功率
集成式结构
应用
便携式媒体播放机
*定位系统
硬盘驱动器5V和12V总线
汽车外围设备输入电源
直流电源端口保护
工业手持POS机
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