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2n5551小功率硅三*管参数资料:
PCM=310mw材料;S 硅Icm=600mABVcbo=180vft=100MHz
类型:NPN直流电流增益hFE*小值(dB):80直流电流增益hFE*大值(dB):250集电*-发射集*小雪崩电压Vceo(V):160集电**大电流Ic(max)(mA):0.600*小电流增益带宽乘积Ft(MHz):100
310mw
0.6
贴片型
100
2N5551 (M*T5551)
硅(Si)
长电
功率
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