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串行闪存，组织结构为4M位/512KB(524288)，每个程序编制的页256字节，均匀的4KB扇区/64KB块；单个或双重输出SPI：时钟、芯片选择、数据输入输出、数据输出，可选择的保持方法；数据传输率达到200Mbit/s，时钟频率100MHz，快速读出双输出指示，自动增强读出能力；4KB扇区的灵活性结构，扇区擦除(4KB)，块擦除(64KB)，分页式程序达到程序256字节小于2ms，100000擦/写周期，掉电数据保持20年；低功耗，电源电压：2.7～3.6V，动态电流：5mA，待机电流1μA(典型值)； 温度范围：- 40～＋85℃；软件和硬件写保护：写保护全部或部分存储器，WP引脚启用/失效保护，顶部或底部阵列保护