营销STGP10*60S *原装ST意法半导体产品现货销售

STGP10*60S特点：

制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
封装 / 箱体: TO-220AB
集电*—发射**大电压 VCEO: 600 V
集电*—射*击穿电压: 600 V
集电*—射*饱和电压: 1.7 V
栅*/发射**大电压: 20 V

集电**大连续电流 Ic: 20 A
栅*—射*漏泄电流: +/- 100 nA
功率耗散: 80 W
封装: Tube
配置: Single
安装风格: Through Hole

是否提供**

否

品牌/商标

ST/意法

型号/规格

STGP10*60S

应用范围

放大

材料

硅(Si)

*性

PNP型

击穿电压VCEO

10（V）

集电*允许电流ICM

20（A）

集电*耗散功率PCM

20（W）

截止频率fT

50（MHz）

结构

肖特基

封装形式

直插型

封装材料

塑料封装