FQPF8N90C− N-Channel QFET^® MOSFET
900V,6.3A, 1.9Ω

该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体^®的专有平面条形和
DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

产品特性

      
6.3A, 900V, R_DS(on)=
1.9Ω（最大值）@V_GS = 10
V, I_D =3.15A

      
低栅极电荷（典型值 35nC)

      
低 C_rss（典型值 12pF)

      
100%经过雪崩击穿测试

应用场景