供应松下信号继电器TX2-3V

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1：高5.2MM*宽6.5MM*长10MM的*小型，对应高度封装。

2：实现高度为5.2MM的低高度，封装效率*的*。

3：约0.7G的*量型。对应更*度的封装。

4：实现于本公司以往产品相比70%的低电力消耗100MW的高灵敏度，

5：实现线圈接点耐高压AC1，500V，且耐冲击电压1.5KV，10*160US（TCC，PART68标准）。

具体型号：

AGQ2004H,AGQ20024，AGQ200A4H，AGQ200A12，AGQ200A24，AGQ210A4H，AGQ210A12，AGQ210A24，AGQ200S4H，AGQ200S12，AGQ200S24，AGQ210S4H，AGQ210S12，AGQ210S24，

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1：长端子形状，焊接部分的长期连接*性*。2：内部为L端子形状，可进行高密度封装。3：*的端子构造，IRS封装时端子温度容易上升，焊接性能良好。4：线圈接点间耐高压2，000AC，高度耐冲击电压2，500V，2*10US。5：额定消耗电力140MW的高灵敏度化。6：高9.4MM*宽7.5MM*长15MM的小型尺寸。7：采用耐热材料，对应IRS封装法。

具体型号：

TX2-3V，TX2-5V，TX2-12V，TX2-24V，TX2-L2-3V，TX2-L2-5V，TX2-L2-12V， TX2-L-3V，TX2-L-5V，TX2-L-12V，TX2-L-24V，TX2SA-3V，TX2-L2-24V，TX2SA-4.5V,TX2SA-5V，TX2SA-12V，TX2SA-24V，TX2SL-3V，TX2SL-5V，TX2SL-12V，TX2SL-24V，TX2SS-3V，TX2SS-5V，TX2SS-12V，TX2SS-24V

TX2SA-L-3V，TX2SA-L-5V，TX2SA-L-12V，TX2SA-L-24V，TX2SL-L-3V，TX2SL-L-5V，TX2SL-L-12V，TX2SL-L-24V，TX2SS-L-3V，TX2SS-L-5V，TX2SS-L-12V，TX2SS-L-24V

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1：长端子形状，焊接部分的长期连接*性*。2：内部为L端子形状，可进行高密度封装。3：*的端子构造，IRS封装时端子温度容易上升，焊接性能良好。4：线圈接点间耐高压2，000AC，高度耐冲击电压2，500V，2*10US。5：额定消耗电力140MW的高灵敏度化。6：高9.4MM*宽7.5MM*长15MM的小型尺寸。7：采用耐热材料，对应IRS封装法。

具体型号*

TXD2-5V，TXD2-12V，TXD2-24V，TXD2-H-5V，TXD2-H-12V，TXD2-H-24V，

TXD2-L-5V，TXD2-L-12V，TXD2-L-24V，TXD2-L-H-5V，TXD2-L-H-12V，TXD2-L-H-24V，TXD2S-L-5V，TXD2S-L-12V，TXD2S-L-24V，TXD2S-5V，TXD2S-12V，TXD2S-24V，TXD2-2M-5V，TXD2-2M-12V，TXD2-2M-24V，

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1：长端子形状，焊接部分的长期连接*性*。2：内部为L端子形状，可进行高密度封装。3：*的端子构造，IRS封装时端子温度容易上升，焊接性能良好。4：线圈接点间耐高压2，000AC，高度耐冲击电压2，500V，2*10US。5：额定消耗电力140MW的高灵敏度化。6：高9.4MM*宽7.5MM*长15MM的小型尺寸。7：采用耐热材料，对应IRS封装法。

具体型号：制造下发

TXS2-3V，TXS2-4.5V，TXS2-12V，TXS2-24V，TXS2-L-3V，TXS2-L-5V，TXS2-L-12V，TXS2-L-24V，TXS2-L2-3V，TXS2-L2-5V，TXS2-L2-12V，TXS2-L2-24V

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1：实行高度5MM，可以与半导体元件安装于同一基板。2：额定消耗电力140MW的高灵敏度。3：低消耗电力实现的低热起电力化（约2UV）（G6H-2F除外）。4：漏磁力线少，可进行高密度实装。5：*耐冲击电压1500V。6：实现*动作。7：标准型取得UL，CSA规格。8：*声波清洗对应，备用1绕组闭锁型和2绕组闭锁型。备有*对应IRS，*的表面安装型。