产品详情

供应集成电路IRF3205PBF

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市向安科技有限公司

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NEC2701/PS2701  全新原装现货库存，百分百全新原装

IRF3205数据


产品照片- 220 - 3,- 220 ab


产品培训模块高压集成电路(高压集成电路门驱动程序)


设计资源IRF3205PBF军刀模型

IRF3205PBF香料模型


标准包装50

一类离散半导体产品

家庭FETs——单身

HEXFET®系列

包装管

场效应晶体管型n沟道MOSFET,金属氧化物

场效应晶体管特性标准

漏源极电压(Vdss)55 v

电流-连续排水(Id)@ 25°C 110(Tc)

Rds(Max)@ Id,Vgs 8莫姆@ 62一个,10 v

vg(th)(Max)@ Id 4 vµa @ 250

门费用(成功之路上)@ vg 146数控@ 10 v

输入电容(Ciss)@ Vds 3247 pf @ 25 v

权力- Max 200 w

安装类型穿孔

包/ Case - 220 - 3

供应商设备包- 220 ab

动态目录标准FETs n沟道

其他名称* IRF3205PBF


IRF3205数据


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场效应晶体管特性标准

漏源极电压(Vdss)55 v

电流-连续排水(Id)@ 25°C 110(Tc)

Rds(Max)@ Id,Vgs 8莫姆@ 62一个,10 v

vg(th)(Max)@ Id 4 vµa @ 250

门费用(成功之路上)@ vg 146数控@ 10 v

输入电容(Ciss)@ Vds 3247 pf @ 25 v

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安装类型穿孔

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型号/规格

IRF3205PBF

品牌/商标

IR