项 目
*号
单位
型号
*小
*大
条件
of
kHz
32.768
25
200
频差
△f/of
ppm
±20
±5
±100
At25℃
温频特性
△f/of
See drawing
-10℃～+60℃
拐点温度
Tm
25±5
温度频差系数
β
ppm/(℃)2
-0.034±0.006
工作温度范围
Topr
℃
-10～+60
存储温度范围
Tstg
℃
-40～±85
等效串联阻*
R1
KΩ
35
20
40
静电容
Co
pF
1.35TYP
负载电容
CL
pF
12.5
Please specify
动态电容
C1
pF
0.0030TYP
*缘阻*
IR
MΩ
500
激励功率
DL
μW
1
电容比率
r
450TYP
年老化率
△f/of
ppm
±5.0
At25℃±3℃
封装条件
1×10-2μPa.m3/s MAX
冲击阻力
±5ppmMAX. Drop test of 3 times on a hard board from 75cm height or shock test of 3000G×0.3ms×1/2sin wave×3directions
