供应MOS管PMV117EN

地区:上海 上海市
认证:

上海德懿电子科技有限公司

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制造商:  NXP   
 
产品种类:  MOSFET   
 
RoHS:   详细信息  
 
晶体管极性:  N-Channel   
 
汲极/源极击穿电压:  30 V   
 
闸/源击穿电压:  +/- 20 V   
 
漏极连续电流:  2.5 A   
 
电阻汲极/源极 RDS(导通):  117 mOhms   
 
配置:  Single   
 
最大工作温度:  + 150 C   
 
安装风格:  SMD/SMT   
 
封装 / 箱体:  TO-236AB   
 
封装:  Reel   
 
下降时间:  7.5 ns  
 
最小工作温度:  - 65 C  
 
功率耗散:  830 mW  
 
上升时间:  7.5 ns  
 
工厂包装数量:  3000  
 
典型关闭延迟时间:  18 ns  
 
零件号别名:  PMV117EN T/R 
 
型号/规格

PMV117EN

品牌/商标

NXP(恩智浦)

封装形式

SOT-23

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征