3000V2.2uF薄膜电容 IGBT无感吸收电容

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Ⅰ产品特点/Introduction:
A.塑料外壳封装，阻燃环氧树脂灌注；
A.Plastic,Sealed with epoxy resin;
B.镀锡铜插片引出，方便IGBT各种孔距安装；
B.Tin-plated copper inserts leads,easy installation F薄膜电容or IGBT
C.耐压高，损耗小（tgθ），温升低
C.Resistance to high voltage,low tgθ，low temperature rise
D.自感（ESL）小，等效串联内阻小:(ESR)
D.Low ESL and ESR
E.高脉冲电流，高dv/dt承受能力
E.High pulse Current
高储能电容器|吸收电容|无感缓冲吸收电容|突波吸收|无感电容|IGBT突波吸收电容
高频电容|吸收保护|高频振荡电容器|高频谐振电容器|电焊机电容器|电焊机专用电容器
CBB16电焊机电容器|CBB15电焊机电容器|CBB15电容器|SMJ-P电容器

Ⅱ应用（Application):
一:IGBT 缓冲吸收（IGBT Snubber）
二:广泛应用于电力电子设备中开关器件断时的尖峰电流吸收保护
Widely used in power electronic equipment when the peak voltage,
peak current absorption protection.

工作温度范围/Operating temperature range -40 85 105℃
容量范围0.1-10uF薄膜电容（0.1 0.15 0.22uF薄膜电容 0.33uF薄膜电容 0.47uF薄膜电容 0.5uF薄膜电容 0.56uF薄膜电容 0.68uF薄膜电容 0.82uF薄膜电容 1uF薄膜电容 1.5uF薄膜电容 2uF薄膜电容 2.2uF薄膜电容 2.5uF薄膜电容 2.7uF薄膜电容 3uF薄膜电容 3.3uF薄膜电容 3.5uF薄膜电容 4uF薄膜电容 4.5uF薄膜电容 4.7uF薄膜电容 5uF薄膜电容 5.6uF薄膜电容 6uF薄膜电容 6.8uF薄膜电容 7uF薄膜电容 8uF薄膜电容 9uF薄膜电容 10uF薄膜电容）
额定电压 500VDC-3500V.DC (630V 800V 1000v 1200v 1500v 1600v 2000v 2500v 3000V)承受电压1.6倍的Un/10s
损耗角正切值(10KHz)：【tgθ≤0.05%(电容量≤1uF薄膜电容 ）】【tgθ≤0.08%(电容量≥1uF薄膜电容】
绝缘电阻（100V20℃时）：【C≤0.33uF薄膜电容 Rs≥15000MΩ 】【C＞0.33uF薄膜电容 Rs*C≥5000s】
耐脉冲冲击电流： dv/dt≥600v/us
阻燃等级 UL94V0级
指导生产标准：IEC61071;61881;GB/TT17702;CRE企业标准
预期寿命18年