*：SVD1N60F，SVD2N60F热卖中

深圳泰安强电子/陈

士兰的高压MOSFET：
SVD1N60M/F/D是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-251-3L和TO-220F-3L俩种封装，采用士兰微电子的平面VDMOS工艺制造，*的工艺及条状的原胞设计结构使的该产品具有较底的导通电阻，*的开关性能及很高的 雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
SVD2N60M/F/D是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-251-3L和TO-220F-3L俩种封装，采用士兰微电子的平面VDMOS工艺制造，*的工艺及条状的原胞设计结构使的该产品具有较底的导通电阻，*的开关性能及很高的 雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。

SVD4N65T/F（SVD4N60D）是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-251-3L和TO-220F-3L俩种封装，采用士兰微电子的平面VDMOS工艺制造，*的工艺及条状的原胞设计结构使的该产品具有较底的导通电阻，*的开关性能及很高的 雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。

SVD7N60T/F是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-220-3L和TO-220F-3L俩种封装，采用士兰微电子的平面VDMOS工艺制造，*的工艺及条状的原胞设计结构使的该产品具有较底的导通电阻，*的开关性能及很高的 雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。

SVD12N65T/F是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-220-3L和TO-220F-3L俩种封装，采用士兰微电子的平面VDMOS工艺制造，*的工艺及条状的原胞设计结构使的该产品具有较底的导通电阻，*的开关性能及很高的 雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。