加速度位移称重传感器

地区:陕西 西安
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振动加速度传感

一 简介   C*-JSD加速度传感器是我公司自行研制,用于测量加速度的传感器。它采用**MEMS芯片,具有BIMOS信号限制电路。设计考虑多用户的需求,制造采用表贴工艺技术。具有高*性和高封装坚固性,并具有自检测功能,可实现(Built-In-Test)检测。

 本产品可用于汽车测控、惯性导航、飞行器*系统、地震监控、倾斜、速度和位置的惯性、振动和冲击试验台加速度的测量等系统中。

二 原理

C*-JSD系列振动加速度传感器是建造在硅晶片顶部的表面MEMS多硅结构。多晶硅簧片悬浮在晶片表面的结构,并提供一个克服加速度感应力的阻力。用包含两个*的固定板和一个与运动质块相连的*板形成的差动电容器机构来测量比例于加速度的多硅结构的偏转,从而产生电压输出信号。

 三 技术条件

型号

C*-JSD01

C*-JSD02

轴数    

供电要求

供电电压(V.dc

5±5

5±5

输入电流(mA

2

2

性能参数

测量范围(g)

±5

±10

*g偏置电压(V)

+2.5±0.1

 +2.5±0.1

输出灵敏度(mV/g)

250

100

偏置温漂()

50mv

2.0

非线性度(FS)

0.2

0.2

分辨力(g) 

2×10-3

5×10-3

带宽(KHZ,max)

10 

5

噪声密度(g/

225

500

自检测(Self-Test

 

 

ST输入电压(V)   

+5

+5

输出响应(V,敏感轴向)

2.63.0

2.12.7

启动时间(ms)

0.7

2

工作环境

使用温度()

-40+85    

-40+85

耐加速度

 

 

任意轴,不供电,0.5ms(g) 

1000   

1000

任意轴,供电,0.5ms(g)

500 

500

重量体积

重量(g)

35

体积

28×28×16(指单双轴)

C*-JSD01振动加速度传感器的代号C*-JSD02后的12分别表示两种不同的型号:

1——表示是单轴;2——表示是双轴。单轴振动加速度传感器可选±5g±25g±50g±100g;双轴振动加速度传感器可选用±2g±10g±50g

指无外界加速度时,输出电压标准值,该值在确定的环境条件下应是确定值。

 这里指工业用工作温度范围,也可选商用工作温度范围:

 0 ~ +70

型号/规格

C*

品牌/商标

VTI