AOD444 技术参数 代理货源
地区:广东 深圳
认证:
无
标准包装:2500
包装类型:带卷 (TR)
RoHS规范:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品描述:MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
产品目录:1667 (CN2011-ZH PDF)
产品相片:TO-263
其它图纸:AOD4xx Series TO-252 (D-PAK) Top
AOD4xx Series TO-252 (D-PAK) Side
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):60 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):540pF @ 30V
功率 - 最大值:20W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
器件封装:TO-252,(D-Pak)