AOD444 技术参数 代理货源
地区：广东 深圳
认证：
无
标准包装：2500
包装类型：带卷 (TR)
RoHS规范：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品描述：MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
产品目录：1667 (CN2011-ZH PDF)
产品相片：TO-263
其它图纸：AOD4xx Series TO-252 (D-PAK) Top
AOD4xx Series TO-252 (D-PAK) Side
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：12A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：60 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：540pF @ 30V
功率 - 最大值：20W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
器件封装：TO-252，（D-Pak）
