RoHS规范：符合
产品描述：MOSFET，P沟道，55V，19A，TO220AB
典型关断延迟时间：30 ns
典型接通延迟时间：13 ns
典型栅极电荷@Vgs：35 常闭 V @ 10
典型输入电容值@Vds：620 pF V @ 25
安装类型：通孔
宽度：4.69mm
封装类型：TO-220AB
尺寸：10.54 x 4.69 x 8.77mm
引脚数目：3
工作温度：-55 °C
最大功率耗散：68 W
最大栅源电压：±20 V
最大漏源电压：55 V
最大漏源电阻值：Ω0.1
最大连续漏极电流：19 A
最高工作温度：+175 °C
每片芯片元件数目：1
类别：功率 MOSFET
通道模式：增强
通道类型：P
配置：单
长度：10.54mm
高度：8.77mm
