供应DInGaAs系列铟镓砷探测器
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■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs）
———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm
三种常温型铟镓砷探测器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外观设计，其中：
◆ DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图1）
◆ DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图2）
◆ DInGaAs1700型内装*大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图3）
型号列表及主要技术指标：
|
参 数 |
测试条件 |
DInGaAs1600 |
测试条件 |
DInGaAs1650 |
测试条件 |
DInGaAs1700 | ||||||
|
*小值 |
典型值 |
*大值 |
*小值 |
典型值 |
*大值 |
*小值 |
典型值 |
*大值 | ||||
|
光敏面直径(mm) |
|
1.5 |
|
5 |
|
5 | ||||||
|
光谱响应 |
|
900-1600 |
|
800-1650 |
|
800-1700 | ||||||
|
范围(nm) | ||||||||||||
|
响应度Re(A/W) |
|
|
|
|
|
|
|
|
@850nm |
0.1 |
0.2 |
|
|
VR=0V @1300nm |
0.8 |
0.85 |
- |
VR=10mV @1310nm |
- |
0.75 |
- |
@1300nm |
0.8 |
0.9 |
| |
|
VR=0V |
0.85 |
0.9 |
- |
VR=10mV @1550nm |
- |
0.8 |
- |
峰值@1550nm |
|
0.95 |
| |
|
@1550nm | ||||||||||||
|
暗电流Io(nA) |
VR=0V |
|
0.1 |
1 |
|
|
10 |
|
VR=0V |
|
5 |
10 |
|
NEP |
|
|
|
|
|
|
|
|
@1550nm |
0.28 |
|
|
|
信号输出 |
|
电流 |
|
电流 |
|
电流 | ||||||
|
输出信号 |
|
正（P） |
|
正（P） |
|
正（P） | ||||||
■ TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs）
——TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm
TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用*二级TE制冷铟镓砷探测元件，光谱响应曲线参考图如下：
型号列表及主要技术指标：
|
型号/参数 |
DInGaAs1700-TE |
DInGaAs1900-TE |
DInGaAs2200-TE |
DInGaAs2400-TE |
DInGaAs2600-TE |
|
光敏面直径(mm) |
3 |
3 |
3 |
3 |
3 |
|
波长范围(nm) |
800-1700 |
800-1900 |
800-2200 |
800-2400 |
800-2600 |
|
峰值响应度(A/W) |
0.9 |
1 |
1.1 |
1.15 |
1.2 |
|
D*(典型值) |
8.4×1013 |
9.1×1012 |
1.9×1012 |
9.6×1011 |
4.9×1011 |
|
NEP(典型值) |
3.2×10-15 |
2.9×10-14 |
1.4×10-13 |
2.8×10-13 |
5.5×10-13 |
|
温控器型号 |
ZTC |
ZTC |
ZTC |
ZTC |
ZTC |
|
探测器温度(℃) |
-40 |
-40 |
-40 |
-40 |
-40 |
|
温度稳定度(℃) |
±0.5 |
±0.5 |
±0.5 |
±0.5 |
±0.5 |
|
环境温度(℃) |
+10~+40 |
+10~+40 |
+10~+40 |
+10~+40 |
+10~+40 |
|
信号输出模式 |
电流 |
电流 |
电流 |
电流 |
电流 |
|
输出信号*性 |
正（P） |
正（P） |
正（P） |
正（P） |
正（P） |
|
备注 |
制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC） 推荐使用前置放大器型号：ZPA-7 | ||||
铟镓砷探测器使用建议：
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZPA-7（Page85)做为前级放大并转换为电压信号；标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以*探测灵敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以*探测灵敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可*需要另行选配前置放大器；
● 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制；
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