超低功耗晶振7050价格，供应超低功耗晶振7050

SiTime MEMS硅晶振采用全半导体工艺制程，标准黑色QFN封装,无需改动PCB板，管脚完全兼容。从设计和工艺的角度完全杜绝了传统石英晶振生产工艺中引起的电路不起振、停振、气密性问题、一致性差等一系列品质问题，抗震可达50000G，彻底消除了设计人员担心小封装的成本和供货的顾虑。 SITIME振荡器的出现将会大大降低采购的风险，降低返修率，减少产品的维护的成本。

产品详细参数：

温度范围

工业，-40-85°C

电源电压

3.3V±10%

功能引脚

“E”为输出使能

频率稳定度

±25 PPM

包装尺寸

3.2×2.5毫米

5.0毫米×3.2毫米

7.0 x 5.0毫米

包装

“Y”:带卷，1000卷

散装空白

 

 

特点:

超低功耗

48在3.75 MHz和77.76 MHz标准频率之间

GPON,EPON,等

100%引脚到引脚的下拉更换，以石英为基础的XO

火线，以太网等。

优秀的总频率稳定度为±20 PPM低

低功耗为3.6 mA（典型值）

更长的电池寿命待机模式

5毫秒的快速启动时间

LVCMOS/ HCMOS兼容输出

行业标准封装：2.0×1.6×2.0,2.5,3.2×2.5,5.0×3.2,7.0×5.0毫米

无铅，RoHS和REACH标准

 

应用:

 

DVC,DSC,DVR,IP CAM表，电子图书，SSD的理想选择，

理想的高速串行协议，如：USB,SATA,SAS,

基本参数描述

 

频率准确度：在标称电源电压、标称负载阻抗、基准温度（25℃）以及其他条件保持不变，晶体振荡器的频率相对与其规定标称值的最大允许偏差，即（fmax-fmin）/f0;

温度稳定度：其他条件保持不变，在规定温度范围内晶体振荡器输出频率的最大变化量相对于温度范围内输出频率极值之和的允许频偏值，即（fmax-fmin）/（fmax+fmin）；

频率调节范围：通过调节晶振的某可变元件改变输出频率的范围。

调频（压控）特性：包括调频频偏、调频灵敏度、调频线性度。

①调频频偏：压控晶体振荡器控制电压由标称的最大值变化到最小值时输出频率差。

②调频灵敏度：压控晶体振荡器变化单位外加控制电压所引起的输出频率的变化量。

③调频线性度：是一种与理想直线（最小二乘法）相比较的调制系统传输特性的量度。

负载特性：其他条件保持不变，负载在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称负载下的输出频率的最大允许频偏。

电压特性：其他条件保持不变，电源电压在规定变化范围内晶体振荡器输出频率相对于标称电源电压下的输出频率的最大允许频偏。

杂波：输出信号中与主频无谐波（副谐波除外）关系的离散频谱分量与主频的功率比，用dBc表示。

谐波：谐波分量功率Pi与载波功率P0之比，用dBc表示。

频率老化：在规定的环境条件下，由于元件（主要是石英谐振器）老化而引起的输出频率随时间的系统漂移过程。通常用某一时间间隔内的频差来量度。对于高稳定晶振，由于输出频率在较长的工作时间内呈近似线性的单方向漂移，往往用老化率（单位时间内的相对频率变化）来量度。

日波动：指振荡器经过规定的预热时间后，每隔一小时测量一次，连续测量24小时，将测试数据按S=（fmax-fmin）/f0式计算，得到日波动。

开机特性：在规定的预热时间内，振荡器频率值的最大变化，用V=（fmax-fmin）/f0表示。

相位噪声：短期稳定度的频域量度。用单边带噪声与载波噪声之比￡（f）表示，￡（f）与噪声起伏的频谱密度Sφ（f）和频率起伏的频谱密度Sy（f）直接相关，由下式表示：

f2S（f）=f02Sy（f）=2f2￡（f）

f-傅立叶频率或偏离载波频率；f0-载波频率。