美国仙童 FairChild MOS场效应管 FDH5500

FDH5500	55	75.0	0.0052	206	3565	TO-247	N沟道，适用于电机驱动、开关电源等
FDP3205	55	100.0	0.0061	93	5810	TO-220	N沟道，开关特性优越
FQP50N06	60	50.0	0.0180	31	1180	TO-220	N沟道增强型，适于DC /DC、电池管理
FDP5800	60	80.0	0.0046	112	6890	TO-220	N沟道，适于电机驱动、DC/AC 、UPS
FDP80N06	60	80.0	0.0085	57	2450	TO-220	N沟道增强型，适用功率因数校正等
FDP050AN06A0	60	80(＜135℃)	0.0043	61	3900	TO-220AB	N沟道，低内阻、低密勒电容、适用于电机驱动、ABS系统、DC /DC、UPS等
FDP070AN06A0	60	80(＜97℃)	0.0061	51	3000	TO-220AB	N沟道，低内阻、低密勒电容、适用于电机驱动、ABS系统、DC /DC、UPS等
FDP025N06	60	265	0.0019	174	11190	TO-220	N沟道，适用于DC /DC、同步整流等
FDP047AN08A0	75	80(＜144℃)	0.0040	92	6600	TO-220AB	N沟道，适用于DC /DC、UPS等
FDP047N08	75	164	0.0037	117	7080	TO-220	N沟道，低内阻，适用于DC /DC等
FDP032N08	75	235	0.0025	169	11400	TO-220	N沟道，适用于DC/DC等
FQP70N08	80	70.0	0.0130	75	2100	TO-220	DMOS工艺，N沟道增强型，高速开关，100%雪崩耐量检测，适用于汽车电子、DC /DC、直流电机驱动等
FQA90N08	80	90.0	0.0120	84	2500	TO-3PN
FQA160N08	80	160	0.0056	225	6100	TO-3P
FDP047N10	100	164	0.0039	160	11500	TO-220	N沟道，适用于DC /DC、同步整流等
IRF530A	100	14.0	0.0920	27	610	TO-220	N沟道，低输入电容，安全工作区增大
FQP33N10	100	33.0	0.0400	38	1150	TO-220	DMOS工艺，N沟道增强型，高速开关，100%雪崩耐量检测，适用于功放、DC /DC、直流电机驱动等
FQP55N10	100	55.0	0.0210	75	2100	TO-220	DMOS工艺，N沟道增强型，高速开关，100%雪崩耐量检测，适用于功放、DC /DC、直流电机驱动等
FDP150N10	100	57.0	0.0120	53	3580	TO-220	N沟道，适用于DC /DC、同步整流等
FQA70N10	100	70.0	0.0190	85	2500	TO-3P	N沟道增强型，适用于功放、DC /DC等
SSH70N10A	100	70.0	0.0230	151	3750	TO-3P	N沟道，低输入电容，安全工作区增大
FDP090N10	100	75.0	0.0072	89	6185	TO-220	N沟道，适用于DC /DC、同步整流
FDP3651U	100	80.0	0.0150	49	4152	TO-220AB	N沟道，适用于DC /DC、高压同步整流
FQP90N10V2	100	90.0	0.0085	147	4730	TO-220	N沟道增强型，适于DC /DC、同步整流

型号/规格

FDH5500

品牌/商标

美国仙童 FairChild

封装形式

TO-247

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

管装

功率特征

供应美国仙童 FairChild MOS场效应管 FDH5500