供应二极管2N7002LT1G
地区：广东 深圳
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无
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| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 7.5 欧姆 @ 500mA, 10V |
|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 115mA |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
| FET 型 | N 沟道 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 功率 - 最大 | 225mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
| 包装 | 带卷 3000PCS/盘 |
2N7002LT1G
ON
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
