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晶体三*管的结构和类型
晶体三*管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的*元件。三*管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，

从三个区引出相应的电*，分别为基*b发射*e和集电*c。

发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电*。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三*管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射*箭头向里；NPN型三*管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射*箭头向外。发射*箭头向外。发射*箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三*管和锗晶体三*管都有PNP型和NPN型两种类型。

晶体三*管具有电流放大作用，其实质是三*管能以基*电流微小的变化量来控制集电*电流较大的变化量。这是三*管*基本的和*重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三*管的电流放大倍数，用*号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三*管来说是一个定值，但随着三*管工作时基*电流的变化也会有*的改变。