场效应管IRFR024N
地区：广东 东莞
认证：
无
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产品属性
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| 标准包装 | 2000 | 类别 | 分离式半导体产品 |
|---|---|---|---|
| 家庭 | FET - 单 | 系列 | HEXFET® |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 | FET 特点 | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 55V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 75 毫欧 @ 10A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250μA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 370pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 45W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 供应商设备封装 | D-Pak |
| 包装 | 盘装 |
IRFR024N
IR(国际整流器)
