5HN02M-TL/*速开关/N沟道 增强型 场效应管MOS/SOT-323/SANYO

地区:广东
认证:

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【产品展示图】





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【产品参数】



 



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【品质*】



材料

N-FET硅N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

型号/规格

5HN02M-TL

封装外形

SMD(SO)/表面封装

品牌/商标

SANYO/三洋

用途

S/开关

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

漏*电流ID

0.2A

源漏电压VDSS

50V

耗散功率PD

0.15W

应用范围

放大