MKPH-SO IGBT 吸收保护电容器
地区：广东
认证：
无
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产品属性
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产品介绍
采用金属化薄膜无感式卷绕，*喷金工艺，塑料外壳封装，阻燃环氧树脂密封，O型铜片引出。
特点
稳定性高、频率特性好、体积小、自愈性好、耐压高、过电流能力强
用途
主要用于UPS、变频器、电镀电源、逆变焊机等其他电力电子设备，IGBT吸收高频*电压、电流用。
性能指标：
使用温度范围 -40℃~ 85℃/ 105℃ 电容量 0.01~0.1μF 电容量偏差 &plu*n;5%(J)、&plu*n;10%（K） 额定电压 1200~3000V.DC 耐电压 1.75Un/60S 损耗角正切 tgδ≤0.0005（at 10KHz) *缘电阻 ≥15000MΩ（at20℃ 100V.DC 60S) 耐冲击电流能力 dv/dt>1000v/μs 阻燃性 UL94V-0 杂散电感 ≤20nH *电流 6~12A 引用标准 *合IEC61071 GB17702.1 CGE企业标准
创格电子
MKPH-SO IGBT 吸收保护电容器
*薄膜
吸收
方块状
*率
中频
可变
同向引出线
&plu*n;5（%）
3000（V）
0.01~0.1μF
tgδ≤0.0005（at 10KHz)
1200~3000V.DC（V）
6~12A（A）
