供应陶瓷覆铜板

地区:山东 淄博
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DCB是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝(AL2Q3)或氮化铝(ALN)陶瓷基片表面( 单面或双面)上的*工艺方法。所制成的*复合基板具有优良电*缘性能,高导热特性,优异的软钎焊性和高的附着强度,并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形,具有很大的载流能力。因此,DCB基板已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料,也是本世纪封装技术发展方向“chip-on-board”技术的基础。

    DCB技术的*性 :实现金属和陶瓷键合的方法有多种,在工业上广泛应用的*合金化方法是厚膜法及钼锰法。厚膜法是将贵*属的细粒通过压接在一起而组成,再由熔融的玻璃粘附到陶瓷上,因此厚膜的导电性能比金属铜差。钼锰法虽使金属层具有相对高的电导,但金属层的厚度往往很薄,小于25μm,这就限制了大功率模块组件的耐浪涌能力。因此*须有一种金属陶瓷键合的新方法来*金属层的导电性能和承受大电流的能力,减小金属层与陶瓷间的接触热阻,且工艺不复杂。铜与陶瓷直接键合技术解决了以上问题,并为电力电子器件的发展开创了新趋势。
1、 DCB应用
● 大功率电力半导体模块;半导体致冷器、电子加热器;功率控制电路,功率混合电路;
● 智能功率组件;高频开关电源,固态继电器;
● 汽车电子,航天航空及*电子组件;
● 太阳能电池板组件;电讯*交换机,接收系统;激光等工业电子。

2、DCB特点
● 机械应力强,形状稳定;*度、高导热率、高*缘性;结合力强,*腐蚀;
● *好的热循环性能,循环次数达5万次,*性高;
● 与PCB板(或IMS基片)一样可刻蚀出各种图形的结构;无污染、*;
● 使用温度宽-55℃~850℃;热膨胀系数接近硅,简化功率模块的生产工艺。

3、使用DCB*性
● DCB的热膨胀系数接近硅芯片,可节省过渡层Mo片,省工、节材、降*;
● 减少焊层,降低热阻,减少空洞,*成品率;
● 在相同载流量下 0.3mm厚的铜箔线宽*为普通印刷电路板的10%;
● 优良的导热性,使芯片的封装*紧凑,从而使功率密度大大*,*系统和装置的*性;
● *型(0.25mm)DCB板可替代BeO,无*毒性问题;
● 载流量大,100A电流连续通过1mm宽0.3mm厚铜体,温升约17℃;100A电流连续通过2mm宽0.3mm厚铜体,温升*5℃左右;
● 热阻低,10×10mmDCB板的热阻:
0.63mm厚度陶瓷基片DCB的热阻为0.31K/W
0.38mm厚度陶瓷基片DCB的热阻为0.19K/W
0.25mm厚度陶瓷基片DCB的热阻为0.14K/W
● *缘耐压高,保障人身*和设备的*护能力;
● 可以实现新的封装和组装方法,使产品高度集成,体积缩小。

4、陶瓷覆铜板DCB技术参数

参数名称

材料名称:  AL2O3(96%)

*大规格  mm×mm

138×178 138×188

瓷片厚度  mm

0.25,  0.38,  0.5,0.63±0.07(标准), 0.76,1.0

热导率 W/m.K

2428

瓷片介电强度  KV/mm

14

瓷片介质损耗因数

≤3×10-4(25℃/1MHZ)

瓷片介电常数

9.4(25℃/1MHZ)

铜箔厚度(mm)

0.10.6    0.3±0.015(标准)

铜箔热导率 W/m.K

385

表面镀镍层厚度  μm

17

表面粗糙度 μm

Rp≤7 Rt≤30 Ra≤3

平凹深度 μm

≤30

铜键合力  N/mm

≥6

*压强度 N/ Cm2

70008000

表面镀金层厚度 μm

0.075~0.1

热膨胀系数 ppm/K

7.4  (50200)

DCB板弯曲率  Max

≤150μm/50mm (未刻图形时)

应用温度范围 

-55850  (惰性气氛下)

400

注: 
   
本公司亦能承制用户*要求的规格,公司拥有*的高温键合、激光切割等精密生产设备,精良的工艺,*检测设备,严格的质量控制,使铜图形线条宽度*小为(1.2±0.2)mm,铜图形线间的距离*小达(0.7±0.2)mm,而铜图形线与陶瓷板边缘的*小间距为0.5mm。

型号/规格

WX

品牌/商标

捷普