陶瓷覆铜板

DCB是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝(AL2Q3)或氮化铝(ALN)陶瓷基片表面( 单面或双面)上的*工艺方法。所制成的*复合基板具有优良电*缘性能，高导热特性，优异的软钎焊性和高的附着强度，并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形，具有很大的载流能力。因此，DCB基板已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料，也是本世纪封装技术发展方向“chip-on-board”技术的基础。

DCB技术的*性：实现金属和陶瓷键合的方法有多种，在工业上广泛应用的*合金化方法是厚膜法及钼锰法。厚膜法是将贵*属的细粒通过压接在一起而组成，再由熔融的玻璃粘附到陶瓷上，因此厚膜的导电性能比金属铜差。钼锰法虽使金属层具有相对高的电导，但金属层的厚度往往很薄，小于25μm，这就限制了大功率模块组件的耐浪涌能力。因此*须有一种金属陶瓷键合的新方法来*金属层的导电性能和承受大电流的能力，减小金属层与陶瓷间的接触热阻，且工艺不复杂。铜与陶瓷直接键合技术解决了以上问题，并为电力电子器件的发展开创了新趋势。

1、 DCB应用
● 大功率电力半导体模块；半导体致冷器、电子加热器；功率控制电路，功率混合电路；
● 智能功率组件；高频开关电源，固态继电器；
● 汽车电子，航天航空及*电子组件；
● 太阳能电池板组件；电讯*交换机，接收系统；激光等工业电子。

2、DCB特点
● 机械应力强，形状稳定；*度、高导热率、高*缘性；结合力强，*腐蚀；
● *好的热循环性能，循环次数达5万次，*性高；
● 与PCB板(或IMS基片)一样可刻蚀出各种图形的结构；无污染、*；
● 使用温度宽-55℃～850℃；热膨胀系数接近硅，简化功率模块的生产工艺。

3、使用DCB*性
● DCB的热膨胀系数接近硅芯片，可节省过渡层Mo片，省工、节材、降*；
● 减少焊层，降低热阻，减少空洞，*成品率；
● 在相同载流量下 0.3mm厚的铜箔线宽*为普通印刷电路板的10%；
● 优良的导热性，使芯片的封装*紧凑，从而使功率密度大大*，*系统和装置的*性；
● *型(0.25mm)DCB板可替代BeO，无*毒性问题；
● 载流量大，100A电流连续通过1mm宽0.3mm厚铜体，温升约17℃；100A电流连续通过2mm宽0.3mm厚铜体，温升*5℃左右；
● 热阻低，10×10mmDCB板的热阻：
0.63mm厚度陶瓷基片DCB的热阻为0.31K/W
0.38mm厚度陶瓷基片DCB的热阻为0.19K/W
0.25mm厚度陶瓷基片DCB的热阻为0.14K/W
● *缘耐压高，保障人身*和设备的*护能力；
● 可以实现新的封装和组装方法，使产品高度集成，体积缩小。

4、陶瓷覆铜板DCB技术参数

参数名称	材料名称： AL₂O₃(≥96%)
*大规格 mm×mm	138×178 或138×188
瓷片厚度 mm	0.25, 0.38, 0.5,0.63±0.07(标准), 0.76,1.0
热导率 W/m.K	24～28
瓷片介电强度 KV/mm	＞14
瓷片介质损耗因数	≤3×10^-4(25℃/1MHZ)
瓷片介电常数	9.4(25℃/1MHZ)
铜箔厚度(mm)	0.1～0.6 0.3±0.015(标准)
铜箔热导率 W/m.K	385
表面镀镍层厚度 μm	1～7
表面粗糙度 μm	Rp≤7， Rt≤30， Ra≤3
平凹深度 μm	≤30
铜键合力 N/mm	≥6
*压强度 N/ Cm²	7000～8000
表面镀金层厚度 μm	0.075～0.1
热膨胀系数 ppm/K	7.4 (在50～200℃)
DCB板弯曲率 Max	≤150μm/50mm (未刻图形时)
应用温度范围 ℃	-55～850 (惰性气氛下)
氢脆变	至400℃

注：
本公司亦能承制用户*要求的规格，公司拥有*的高温键合、激光切割等精密生产设备，精良的工艺，*检测设备，严格的质量控制，使铜图形线条宽度*小为(1.2±0.2)mm,铜图形线间的距离*小达(0.7±0.2)mm，而铜图形线与陶瓷板边缘的*小间距为0.5mm。

型号/规格

WX

品牌/商标

捷普

供应陶瓷覆铜板