Discrete Semiconductor Products 半导体» 晶体管» MOSFET» MTD3055VL

晶体管极性:  N-Channel

汲极/源极击穿电压:  60V

闸/源击穿电压:   +/- 20 V

漏极连续电流:    12A

电阻汲极/源极 RDS（导通）:    0.18 Ohms

 配置:     Single      

 最大工作温度:   +175 C

安装风格；   SMD/SMT

封装/箱体:     TO-252AA

封装：           Reel

 下降时间:      90ns

 最小工作温度：  -55 C

功率消耗：      3.9W

上升时间：     190ns