产品详情

供应*GT30J122

地区：广东 汕头
认证： 无

汕头市追远电子有限公司

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*对*大额定值
（大
=
25°C)
特点
集电* - 发射*电压
栅* - 发射*电压
集电*电流
集电*耗散功率
（TC
=
25°C)
结温
存储温度范围
DC
1毫秒
*号
V
C*
V
G*
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
stg
等级
600
±20
30
100
75
150
−55~150
单位
V
V
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
―
―
TOSHIBA
2-16F1A
注意：使用在重负载下连续（例如,应用高
温度/电流/电压和显着变化
重量：5.8克（典型值）
温度等）,可能会导致此产品的*性显着降低,即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）内的*对*大额定值.
请设计审查后,东芝半导体*性手册（“处理注意事项”/降级的概念和方法）和个人的*性数据（ie*性试验
报告,估计故障率等）适当的*性.
型号/规格

GT30J122

品牌/商标

TOSHIBA（东芝）

封装形式

O-*

*类别

普通型

安装方式

直插式

包装方式

散装

功率特性

*率

频率特性

中频

耗散功率

0