供应*K1859 2SK1859

 2SK1859


种类: MOSFET


沟道类型: N


*大耗散功率 (Pd): 60


漏源电压 (Uds): 900V


栅源电压 (Ugs):


*大漏*电流 (Id): 6


*大工作温度 (Tj), °C:


导通上升时间 (tr):


输出电容 (Cd), pF:


静态的漏源*导通电阻 (Rds), Ohm: 2


封装形式: TO*FM

本公司经营*功放配对管、IGBT电磁炉管、行管、场效应、达林顿、可控硅、肖特基、快恢复、三端稳压等大*率管及其它电子元件.