产品简介：
主要应用领域：
· 中子和a探测
· 放射治疗，粒子和X射
· 线速检测和诊断
· 追踪（内层）LHC/SLHC
· TOF
· 能力分辨
· 重离子。
产品特性：
· 在强辐射场工作稳定，可用于高辐射和极端的化学环境
· 信号采集时间短·
· 暗电流＜5微安
· 室温工作
· 信嗓比优于10000/1
硅光电倍增管（Silicon
photomultiplier）是一种新型的光电探测器件，由工作在盖革模式的雪崩二极管阵列组成，一般具有增益高10、灵敏度高、偏置电压低、对磁场不敏感、结构紧凑等特点。它发明于二十世纪九十年代末，广泛应用于高能物理及核医学（PET）等领域，近几年来在核医学领域发展迅速，被广泛认为是可以取代光电倍增管的光探测器件。
其他名称： SPM, SiPM, GAPD, MPPD
原理：
每个硅光电倍增管由大量的（几百到几千个）雪崩二极管（APD）单元组成，每一个单元由一个APD和一个大阻值淬灭电阻串联而成，这些微元并联成一个面阵列。为硅光电倍增管加上反向偏压（一般是几十伏）后，每个微元的APD耗尽层有很高的电场，此时若外界有光子打进来，会和半导体中的电子空穴对发生康普顿散射，打出电子或空穴（这句话不，只为方便理解），高能的电子和空穴随即在电场中加速，打出大量的次级电子和空穴，即雪崩。此时每个微元电路中电流突然变大，在淬灭电阻R上降落的电压也变大，APD中的电场瞬间变小，即APD输出一个瞬时电流脉冲后雪崩停止，不同微元的淬灭电阻阻值相同，所以理论上讲每个微元会输出等大的脉冲。APD是模拟器件，但宏观来看每个微元都是逻辑单元，有信号输出是“1”，没有信号就是“0”。在硅光电倍增管的动态范围内，它输出电流的大小就和发生雪崩的微元数成正比。
