供应3528红外发射管 近红外850NM
地区：广东
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无
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3528 850NM红外发射管 台湾芯片 发光角度120度
产品参数：波长850nm 电压1.4-1.5V 辐射强度2-3mw/sr
产品优点：高质量，短交期,可按客户要求*
产品用途：用于无线鼠标、*设备、植物生长灯、红外CCD摄像机，CMOS和红外传输等
特征： 1.可视角度可依据客户需求而定； 2.盘状包装； 3.无铅化，*合RoHS标准。
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※Electrical-optical characteristiccs at Ta=25℃电性光电特性
Parameter 参数 | Test Condition 测试条件 | Symbol *号 | Value值 | Unit 单位 | ||
Min. | T*. | Max. | ||||
Forward voltage 正向电压 | If=20mA | VF | 1.4 | 1.45 | 1.5 | V |
Power Dissipation at(or below)25℃Free Air Temperature光功率 | If=20mA | Pd | 1.5 | 2.0 | 2.5 | Mw/sr |
Dominant wavelength 主波长 | If=20mA | WLD | 840 | -- | 850 | nm |
Spectral Bandwidth 光谱带宽 | If=20mA | Δλ | -- | 50 | -- | nm |
Viewing angle at 50% Iv 半功率角 | If=20mA | 2 θ 1/2 | -- | 120 | -- | Deg |
Reverse current 反向电流 | Vr=5V | Ir | -- | -- | 10 | mA |
850（nm）
半导体
近红外
光学发射器件
是
JDF-3528IR-850
JDF
电激励式
连续式
2-3 5-7 mw/sr
