供应 AGN210A4H

地区:广东 深圳
认证:

深圳市腾越世纪电子有限公司

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特性

•紧凑苗条的身材节省空间

多亏了小面积为5.7

MM


´10.6毫米。224英寸


´。417英寸和

低高度的9.0毫米。354英寸,包装

密度可以增加到允许

对于更小的设计。

杰出的浪涌电阻•。

增兵承受联系人之间开放:

1500 V 10


´160


ms(FCC部分68)

增兵承受的接触和之间

线圈:2500 V 2


´10


ms(贝尔)

•使用双纵横联系确保

高接触可靠性。

AgPd接触是使用是因为它的好

硫化物阻力。采用较低的天然气

造型材料。线圈组装成型

技术,避免了生成挥发性

气体从线圈。

•增加包装密度

由于高效磁路设计,

漏通量减少和变化

在电特性从组件

安装在接近是

最小化。这一切都意味着一个包装

密度高于以往。

•名义运行功率:140 mW

•杰出的振动和冲击阻力。

功能冲击阻力:

750米/ s2 { 75 g }

破坏性冲击阻力:

1000米/ s2 { 100 g }

功能性抗振性:

10至55赫兹(双振幅为3.3

mm。130英寸)

破坏性的抗振性:

10至55赫兹(双振幅的5毫米

型号/规格

AGN210A4H

品牌/商标

NAIS