*低压MOS管SI2301/SI2302 3A电流

地区:广西
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GM603

 

SOT-23場效應晶體管(SOT-23 Field Effect Transistors)

 

 

 

N-Channel Enhancement-Mode MOS FETs

 

N沟道增强型MOS场效应管

 

■MAXIMUM RATINGS*大額定值

 

Characteristic

 

特性參數

 

Symbol

 

*號

 

Max

 

*大值

 

Unit

 

單位

 

Drain-Source Voltage

 

漏極-源極電壓

 

BVDSS

 

20

 

V

 

Gate- Source Voltage

 

栅極-源極電壓

 

VGS

 

10

 

V

 

Drain Current (continuous)

 

漏極電流-連續

 

ID

 

3

 

A

 

Drain Current (pulsed)

 

漏極電流-脉冲

 

IDM

 

10

 

A

 

Total Device Dissipation

 

總耗散功率

 

TA=25℃環境溫度爲25℃

 

PD

 

1000

 

mW

 

Junction 

 

結溫

 

TJ

 

150

 

 

Storage Temperature 

 

儲存溫度

 

Tstg

 

-55to 150

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


 

 

 

 

 

 

 

 

 

封装外形

SMD(SO)/表面封装

型号/规格

SI2301/SI2302

开启电压

0.5

材料

N-FET硅N沟道

品牌/商标

桂微牌

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型

耗散功率

1000