优势供应 N沟道场效应管MOS FTUO1N60 国产替代 质量稳定

      FTUO1N60/CS1N60，硅N沟道增强型VDMOSFETs自对准的平面技术，是通过以下方式获得从而降低导通损耗，提高开关性能和增强的雪崩能量。晶体管可以用在各种电源系统的开关电路，用于小型化和更高的效率。封装形式为TO-252，符合RoHS标准.
该芯片应用：

快速切换
低导通电阻（导通电阻≤15Ω）
低栅极电荷（典型数据：5.0nC）
低反向传输电容（典型：2.7pF）
100％的单脉冲雪崩能量测试
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