励福键合金线主要应用于半导体工业领域或芯片与外部电路的连接功能。励福键合金线在99.999%高*的基础上,通过适当的掺杂合合金,使金线能够满足不同封装领域的要求。
KH2型的金线掺杂几个PPM的微量元素,是一种一般用途的键合金线,具有高的弧型稳定性、热强度和韧性,适用于大多数普通和*键合设备。
KM1这种掺杂金线在HD2的基础上又*了其他的微量元素。因此这种金线比HD2具有较高的强度。弧度比较低具有较高的弧形稳定性,好的弧形稳定性适用于较细线径和长弧应用。
KM2型的金线掺杂量较高的金线,由于掺杂了不同的元素更适合低长弧应用,具有较高的高温强度,属于掺杂金线和改良型金线的过度产品。
KH1型和掺杂金线对比,改良型金线虽然有比较低的合金成分或者其他*掺杂元素比例,但是改良型金线有比较明显的高纯度,短的热影响*度和热稳定性。并且电阻率没有明显的增加。由于强度的增加,因此这种金线如果其他的性能能满足要求的话可以适当的减少直径,降低贵金属成本。
鍵合金線
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励福键合金线主要应用于半导锑工业领域或芯片与外部电路的连接功能。励福键合金线在99.999%高*的基础上,通过适当的掺杂合合金,使金线能够满足不同封装领域的要求。
直径 |
重量 |
断裂负荷(g) |
延伸率 |
μm |
mil |
Mg/m |
KHl |
KM2 KM3 |
KL1 |
% |
15±1 |
0.6 |
2.97-3.88 |
>2.0 |
>2.5 |
>3.0 |
2.0-5.0 |
17±1 |
0.669 |
3.88-4.90 |
>3.0 |
>4.0 |
>5.0 |
2.0-6.0 |
18±1 |
0.7 |
4.35-5.48 |
>3.0 |
>4.0 |
>5.0 |
2.0-6.0 |
19±1 |
0.75 |
4.90-6.10 |
>4.0 |
>5.0 |
>6.0 |
2.0-6.0 |
20±1 |
0.8 |
5.48-6.70 |
>4.0 |
>5.0 |
>6.0 |
2.0-6.0 |
23±1 |
0.9 |
7.35-8.75 |
>6.0 |
>7.0 |
>8.0 |
2.0-8.0 |
24±1 |
0.944 |
8.02-9.48 |
>7.0 |
>8.0 |
>9.0 |
2.0-8.0 |
25±1 |
1.0 |
8.75-10.26 |
>8.0 |
>9.0 |
>10.0 |
2.0-8.0 |
28±1 |
1.1 |
11.05-12.75 |
>10.0 |
>12.0 |
>13.0 |
2.0-8.0 |
30±1 |
1.2 |
12.75-14.60 |
>12.0 |
>13.0 |
>15.0 |
3.0-10.0 |
32±1 |
1.25 |
14.60-16.50 |
>12.0 |
>15.0 |
>16.0 |
3.0-10.0 |
33±1 |
1.3 |
15.54-17.50 |
>14.0 |
>16.0 |
>18.0 |
3.0-10.0 |
35±1 |
1.4 |
17.50-19.65 |
>15.0 |
>18.0 |
>20.0 |
3.0-10.0 |
38±1 |
1.5 |
20.75-23.10 |
>18.0 |
>21.0 |
>23.0 |
3.0-10.0 |
40±1 |
1.6 |
23.10-25.50 |
>22.0 |
>24.0 |
>26.0 |
4.0-12.0 |
45±1 |
1.8 |
29.40-32.10 |
>26.0 |
>28.0 |
>30.0 |
4.0-12.0 |
50±1 |
2.0 |
34.90-41.00 |
>32.0 |
>35.0 |
>36.0 |
4.0-12.0 |
60±1 |
2.4 |
49.30-60.25 |
>48.0 |
>51.0 |
>53.0 |
8.0-15.0 |
70±1 |
2.8 |
68.10-80.85 |
>56.0 |
>60.0 |
>62.0 |
8.0-15.0 |
75±1 |
3 |
78.65-92.30 |
>66.0 |
>68.0 |
>72.0 |
8.0-15.0 | |