原装*价格好,质量好IRF840属于Vishay的第三代Power MOSFETs

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IRF840 概述


  IRF840属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF840为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻*和*益的强力组合。
  新系列的低电荷Power MOSFET IRF840LC则具有比传统MOSFETs明显更低的栅电荷。利用新型的LCDMOS技术,IRF840LC性能得到增强且无需增加额外的成本,简化了栅*驱动需求,从而节省了系统总体开销。此外,在大量的高频应用中,IRF840LC减少了转换损耗,效能得到强化。
  TO-220封装的IRF840普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用,低热阻和*的TO-220封装,使IRF840得到业内的普遍*。SMD-220封装的IRF840适用于贴片安装,比起现有的任何其他贴片封装,可说是功率*高,导通阻*。IRF840的SMD-220封装可适应*度电流的应用。
IRF840 参数
IRF840 基本参数
VDS 500 V
ID@25℃ 8.0 A
RDS(on) 0.85 Ω
IRF840 其他特性
FET*性 N型沟道
Qg (Max.)(nC) 63 nC
IRF840 封装与引脚
TO-220, TO-263, TO-262

IRF840 特性

  • 动态dv/dt率
  • 可恢复性雪崩测定
  • 快速转换速率
  • 并行简易
  • *需简单驱动
  • 贴片安装 - IRF840S、IRF840LCS、IRF840AS
  • 可选卷带包装 - IRF840S、IRF840LCS、IRF840AS
  • *栅电荷 - IRF840LC
  • 增强VGS等级 30 V - IRF840LC
  • *高工作频率 - IRF840LC
  • 无铅*

IRF840

 

  • PDF文档链接:
  • https://pdf1.alldatasheetcn.com/datasheet-pdf/view/3045/MOTOROLA/IRF840.html
  • 晶体管*性:ñ频道
  • 电流, Id 连续:8A
  • 电压, Vds *大:500V
  • 在电阻RDS(上):850mohm
  • 功耗, Pd:125W
  • 封装类型:TO-220
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)
  • 功率, Pd:125W
  • 功耗:125W
  • 单脉冲雪崩能量 Eas:520mJ
  • 封装类型:TO-220 (SOT-78B)
  • 封装类型, 替代:SOT-78B
  • 引脚节距:2.54mm
  • 总功率, Ptot:125W
  • 时间, trr 典型值:384ns
  • 晶体管数:1
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 满功率温度:25°C
  • 电容值, Ciss 典型值:832pF
  • 电流, Idm 脉冲:32A
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:850mohm
  • 针脚格式:1G, (2+Tab)D, 3S
  • 针脚配置:a
  • 阈值电压, Vgs th :2V
  • 阈值电压, Vgs th *高:4V
品牌/商标

IR VISHAY

型号/规格

IRF840ASTRLPBF

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道