供应IRF640NSTRLPBF 热卖产品欢迎来电咨询

标准包装：800

类别：分离式半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：标准型

漏极至源极电压(Vdss)：200V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：150 毫欧 @ 11A，10V

Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs：67nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds：1160pF @ 25V

功率 - 最大：150W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商设备封装：D2PAK

包装：带卷 (TR)

其它名称：IRF640NSTRLPBF-NDIRF640NSTRLPBFTR

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标准包装：800

类别：分离式半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：标准型

漏极至源极电压(Vdss)：200V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：150 毫欧 @ 11A，10V

Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs：67nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds：1160pF @ 25V

功率 - 最大：150W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商设备封装：D2PAK

包装：带卷 (TR)

其它名称：IRF640NSTRLPBF-NDIRF640NSTRLPBFTR

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   范围   世界各地厂家SMD DIP 场效应 IGBT LDO 三极管 三端稳压  肖特基  快恢复 可控硅 LED 等系列电子元件