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类别：分离式半导体产品

家庭：MOSFET，GaNFET - 单

系列：QFET™

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：标准型

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.7 欧姆 @ 1.3A, 10V

漏极至源极电压(Vdss)：500V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2.6A

Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：460pF @ 25V

功率 - 最大：2.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：DPak, SC-63,TO-252(2 引线+接片)

包装：带卷 (TR)

供应商设备封装：