供应霍尔效应系统

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霍尔效应电输运测量系统可用来理解和表征材料物理性,具有*的价值,这些材料通常包括:半导体材料(比如说Si, Ge, GaAs, AlGaAs, CdTe, and HgCdTe)、电磁材料(磁电阻器件、GMR薄膜、稀磁半导体、*导体材料)。材料霍尔效应电输性质测量和磁电阻效应的测量适用于材料的研究、产品开发和质量控制。

to 200Gohm
。系统操作简单、测量*,系统在进行样品测量时,可以实现对磁场和温度的自动控制。基本系统*多同时可对两个样品在室温或液氮温度下进行测量,加上四样品测量模块,在不改动其它硬件的条件下,就可以实现四个样品的连续测量。在变磁场下得到的测量数据经过QMSA软件(选件)分析得到的数据结果给科研人员提供了*有价值的信息。  to 200Gohm,加上AC电流选件,阻值范围可扩展到10 µohm  现代材料从复合半导体材料到纳米材料,已经将输运特性的测量推到了*限,这些材料为今天的材料研究人员*了*的挑战。Lake Shore公司的霍尔效应系统为小电流和小电压的控制提供了解决方案,其测量范围:
0.04mohm 

霍尔效应测量系统可获得的数据结果包括:电阻、电阻率、霍尔系数、霍尔迁移率、载流子浓度、电流-电压特性曲线。测量数据时实反馈,以图形和表格的形式显示在软件中。用Van der PauwHall bar、四引线磁阻法测量的数据还可以日后进行进一步的处理、分析和显示。

 

系统特点
· 同一系统可测定霍尔电压,霍尔电阻,磁致电阻及伏安特性;计算电阻率、霍尔系数、载流子浓度和迁移率。
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电阻范围:0.04mΩ~ 200GΩ,测量误差<5%;加 AC电流选件,阻值范围可扩展到10 µohm 
   to 200Gohm

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样品测试温度可以*15K;*高可*800K
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在一个实验程序下可完成多个试验步骤。
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系统可自动计算电阻率、惑尔系数、载流子浓度和迁移率
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软件中样品定义、测量设定、测量结果是单独保存的,这样对以后的使用提供了很大的方便
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测量过程采用计算机自动控制和数据采集,操作简单省时。
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数据进行时实采集和处理,可以以曲线或图表两种形式显示
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系统磁性稳定性好,采用水冷电磁铁,闭环反馈
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测量软件工作在Windows® XP®操作系统下
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标准的Windows® Explorer®界面可进行操作设定、样品和测量设定
 
可测试材料
多数复合半导体材料,包括 SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, and HgCdTe,砖石铁,氧体材料
低阻材料,包括金属、透明氧化物、稀磁半导体器件和TMR材料
高阻材料,包括半导体*缘材料、GaAsGaNCdTe和光电探测器

型号/规格

7600

品牌/商标

Lakeshore