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供应 MOSFET功率晶体管100W 30MHzRD100HHF1

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市中立信电子科技有限公司

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评级符号参数条件的单位

VDSS漏源电压VGS = 0V至50 V

vgss栅源电压VDS = 0V to + V / 20

PCH信道Dissipation TC =°C 176.5 W

输入电源引脚ZG = = 50ZL 12.5 W

漏电流25 ID

TCH信道温度175°C

最大容许存储温度40 to + 175°C


型号/规格

RD100HHF1

品牌/商标

Mitsubishi