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IRFB4710PBF *价格原装现货！

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描述

晶体管*性:ñ频道
电流, Id 连续:75A
电压, Vds *大:100V
通电阻:14mohm
电压 @ Rds测量:10V
电压, Vgs *高:5.5V
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)
功率, Pd:200W
功耗:200W
封装类型:TO-220AB
晶体管类型:
漏*电流, Id *大值:75A
热阻, 结至外壳 A:0.74°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds 典型值:100V
电流, Idm 脉冲:300A
表面安装器件:通孔安装
通态电阻, Rds on *大:14mohm
阈值电压, Vgs th 典型值:5.5V
阈值电压, Vgs th *高:4.5V

品牌/商标

ST/意法

型号/规格

IRFB4710PBF

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

UNI/一般用途

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

漏*电流

7500（mA）

耗散功率

2000（mW）