Parameter               Symbol   Min.   Max.     Unit   Test condition

Storage temperature         Tst            -40   100    ℃       -

Operating temperature       TOP        -40   85      ℃       -

Reverse voltage             VR                      2         V       CW

Soldering temperature/time                 260/10    ℃/S   -

Parameter           Symbol   Min.  T*. Max.   Unit   test condition

Center wavelength    λc     1520 1550   1580   nm   -

Threshold current       ith       -     10     20     mA   CW ,25℃

Spectral width      △λ     -       0.1     -     nm   CW,lth 20mA

Output power         P       -     2     2.5     mW   CW,lth 20mA

Operating voltage     Vop       -     1.1   1.5     V   CW,lth 20mA

Rise/Fall time       Tr/Tf     -     0.3     0.7     nS   CW,lth 20mA

Monitor current       lm       0.1   0.4     -     mA   CW,lth 20MA

Side      mode     SMSR     30   40     -     db  

Suppression ratio

Optical lsolation       lso       30   -       -     db   25℃

Modulation           BW       2.5   -     -     GHZ   Po=2mw

Bandwidth

Relative intensity     RIN         -    -135   -     dBm/Hz

Noise                                         CW,2mw,50MHz~1000MHz

Second-Order       IMD2       -     -40     -   dBc @stone,OdBm输出

Intermodulation

Third-Order         IMD3       -     -58   -   dBc @stone,OdBm输出

Intermodulation