肖特基，，蓝管DB3

双向触发二*管DB3

　　工作原理：二*管、晶体二*管为一个P型和N型半导体半导体PN结的形成及其形成两边的界面空间电荷层，并建自建电场。当外加电压不存在，是由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电流所造成的，同时漂移，并在平衡状态。当外面的世界有着积*的偏压，外电场与电场的相互自我抑制的作用，在消除承运人增加，从目前的扩散正向电流。当外面世界的反向偏压，外电场和电场，以进一步加强自身建设，在某种形式的反向电压和反向偏置电压值无关的反向饱和电流i0 。当反向电压应用到*程度， PN结的空间电荷层的临界电场强度值承运人乘法过程中，大量的电子空穴对，有相当部分的数值反向击穿电流，击穿现象被称为二*管。 该类型的二*管 有许多类型的二*管，根据半导体材料的使用，可分为锗二*管（葛管）和硅二*管（硅管） 。根据其不同用途，可分为探测器二*管，整流二*管，二*管调节器，开关二*管，隔离二*管，肖特基二*管，发光二*管等。根据该*结构，可分为点接触二*管，接触式平面二*管和二*管。二*管是一个联络点，与一个很小的金属丝压在清洁表面上的半导体芯片，一个脉冲电流，导线接触到年底晶片牢固烧结在一起，形成一个" PN结" 。点接触，只允许通过较小的电流（不*过几十毫安） ，适用于小型高频率电流电路，如无线电探测器。接触二*管的" PN结"面积较大，允许更大的电流（几的数十个） ，它可以用来变换交流电源到直流"整治"电路。平面二*管是一个*设计的硅二*管，它不*可以通过更大的电流，而且性能稳定*，以及更多交换机，以及高频率脉冲电路。

双向触发二*管主要参数和工作原理

　　双向触发二*管（DIAC）属三层结构，具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ，在电路中作过压保护等用途。

　　图1是它的构造示意图。
　　图2、图3分别是它的*号及等效电路，可等效于基*开路、发射*与集电*对称的NPN型晶体管。
　　因此*可用二只NPN晶体管如图4连接来替代。

　　双向触发二*管正、反向伏安特性几乎*对称（见图5）。
　　当器件两端所加电压U低于正向转折电压V(bo)时，器件呈高阻态。当U>V(B0)时，管子击穿导通进入负阻区。
　　同样当U大于反向转折电压V(br)时，管子同样能进入负阻区。转折电压的对称性用△V(B)表示。
　　△V(b)=V(bo)-V(br)。
　　一般△V(B)应小于2伏。
　　双向触发二*管的正向转折电压值一般有三个等级：20-60V、100-150V、200-250V。
　　由于转折电压都大于20V，可以用万用表电阻挡正反向测双向二*管，表针均应不动（RX10k),但还不能*确定它就是好的。
　　检测它的好坏，并能提供大于250V的直流电压的电源，检测时通过管子的电流不要大于是5mA。
　　用晶体管耐压测试器检测十分方便。
　　如没有，可用兆欧表按图6所示进行测量（正、反各一次），电压大的一次V(br)。

　　例如：
　　测一只DB3型二*管，*次为27.5V，反向后再测为28V，
　　则△V(b)=V(bo)-V(br)=28V-27.5V=0.5V<2V，表明该管对称性很好。

　　图７是双向触发二*管与双向可控硅等元件构成的台灯调光电路。
　　通过调节电位器R2，可以改变双向可控硅的导通角，从而改变通过灯泡的电流（平均值）实现连续调光。
　　如果将灯泡换电熨斗、电热褥还可实现连续调温。
　　该电路在双向可控硅加散热器的情况下，可控负载功率可达500W，各元件参数见图所标注。