光磊850发射管芯片

可供ED-910IRP ED-912IRP ED-914IRP发射管芯片

如:ED-912IRP-P的参数植 Min       Avg       Max

                           vfm(v)1.43     1.44      1.49

                            vfh(v)1.69     1.73      1.85

                   Power(mw)1.78     2.08      2.50

                         wp(nm)855       856      862

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