13003-T TO-251 高耐压 *

地区:广东 广州
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    MJE13003-T  (1.43*1.43)           
                              
硅NPN半导体三*管/SILICON NPN TRANSISTOR

 

 

用途:主要用于*灯、日光灯电子镇流器及其它开关、振荡电路

Purpose: High frequency electronic lighting ballast applications,

           converters,inverters,switching regulators,etc.

 

 

参数*号

Symbol

数值

Rating

单位

Unit

VCBO

600

V

VCEO

400

V

VEBO

9.0

V

IC

1.2

A

PC(TC=25)

16

W

Tj

150

Tstg

-55~150

*限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25)           TO-251  单位:mm                                                                                                                                       

 

电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25)                  引脚: 1. B 2.C   3.E                      

参数*号

Symbol

测试条件

Test condition

数值

Rating

单位

Unit

*小值

Min

典型值

T*

*大值

Max

ICBO

VCB=600V           IE=0

 

 

100

uA

IEBO

VEB=9.0V           IC=0

 

 

100

uA

hFE

IB=1mA(UI9600)

10

 

40

 

VCE(sat)

IC=1.0A               IB=0.25A

 

 

0.4

V

VBE(sat)

IC=1.0A              IB=0.25A

 

 

1.2

V

fT

VCE=10V   IC=0.1A     f=1.0MHZ

5.0

 

 

MHZ

Tstg

   IC=0.25A (UI9600)

 

 

5

μS

 

 

 

 

 

 

hFE分档/ hFEcl*ifications: 10~15 15~20 20~25 25~30 30~35 35~40

 

**

品牌/商标

SLT

型号/规格

13003-T TO-251

应用范围

开关

材料

硅(Si)

*性

NPN型

击穿电压VCEO

430(V)

集电*允许电流ICM

1.5(A)

集电*耗散功率PCM

16(W)

截止频率fT

80(MHz)

封装形式

直插型

封装材料

树脂封装