放在美国一分硬币上的一枚SOT-23封装与正反面两枚超微型DFN封装的串列式EEPROM ，型号11LC160，容量16 kbit

一枚 4 Mbit (= 512 KB) 容量，型号 29C040 的 Flash EEPROM

EEPROM，或写作E²PROM，全称电子抹除式可复写只读存储器 （英语：Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory），是一种可以通过电子方式多次复写的半导体存储设备。相比EPROM，EEPROM不需要用紫外线照射，也不需取下，就可以用特定的电压，来抹除芯片上的信息，以便写入新的数据。

EEPROM有四种工作模式：读取模式、写入模式、擦除模式、校验模式。读取时，芯片只需要Vcc低电压（一般+5V）供电。编程写入时，芯片通过Vpp（一般+25V, 较新者可能使用 12V 或 5V）获得编程电压，并通过PGM编程脉冲（一般50ms）写入数据。擦除时，只需使用Vpp高电压，不需要紫外线，便可以擦除指定地址的内容。为保证写入正确，在每写入一块数据后，都需要进行类似于读取的校验步骤，若错误就重新写入。现今的 EEPROM 通常已不再需要使用额外的 Vpp 电压，且写入时间也已有缩短。

由于EEPROM的优秀性能，以及在在线操作的便利，它被广泛用于需要经常擦除的BIOS芯片以及闪存芯片，并逐步替代部分有断电保留需要的RAM芯片，甚至取代部份的硬盘功能（见固态硬盘）。它与高速RAM成为当前（21世纪00年代）最常用且发展最快的两种存储技术。