LRC三极管LBZX84C7V5LT1G

三极管的基本结构是两个反向连结的PN结面，如图1所示，可有PNP和NPN两种组合。三个接出来的端点依序称为发射极（emitter,E）、基极（base,B）和集电极（collector,C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出 NPN与PNP三极管的电路符号，发射极特别被标出，箭号所指的即为n型半导体，和二极体的符号一致。在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中性的p型区和n型区隔开。

pnp和npn三极管的结构及其示意图

三极管的电特性和两个pn结面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”（forward active），在此区EB极间的pn结面维持在正向偏压，而BC极间的pn结面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管都以此方式偏压。图2(a）为一PNP三极管在此偏压区的示意图。EB接面的空乏区由于正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的空穴会注入到基极，基极的电子也会注入到射极；而BC接面的耗尽区则会变

宽，载体看到的位障变大，故本身是不导通的。图2(b）画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形下，空穴和电子的电位能的分布图。三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢？其间最大的不同部分就在于三极管的两个接面相当接近。以上述之偏压在正向活性区之PNP三极管为例，射极的空穴注入基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极方向扩散，同时也被电子复合。当没有被复合的空穴到达BC接面的耗尽区时，会被此区内的电场加速扫入集电极，空穴在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。IC的大小和BC间反向偏压的大小关系不大。基极外部仅需提供与注入空穴复合部分的电子流IBrec，与由基极注入射极的电子流InBE（这部分是三极管作用不需要的部分）。InB E在射极与与电洞复合，即InB E=IErec。

型号/规格

LBZX84C7V5LT1G

品牌/商标

NXP（恩智浦）

封装形式

SMD

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

盒带编带包装

供应LRC三极管LBZX84C7V5LT1G